DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4gb这个容量，4gb是32位操作系统的执行上限（不考虑pae等等的内存映像模式，因这些32位元元延伸模式只是过渡方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流）当市场需求超过4gb的时候，64位cpu与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是ddr3内存的普及时期。ddr3 ub dimm 2007进入市场，成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。ddr3内存相对于ddr2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。ddr3接触针脚数目同ddr2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。
  一、与ddr2相比ddr3具有的优点。
  1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是ddr2的两倍。
　　　　
  2.更省电：ddr3 module电压从ddr2的1.8v降低到1.5v，同频率下比ddr2更省电，搭配srt（self-refresh temperature）功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率（rasr，partial array self-refresh功能），达到省电目的。
　　　　
  3.容量更大：更多的bank数量，依照jedec标准，ddr2应可出到单位元元4gb的容量（亦即单条模块可到8gb），但目前许多dram 厂商的规划，ddr2生产可能会跳过这个4gb单位元元容量，也就是说届时单条ddr2的dram模块，容量最大可能只会到4gb。而ddr3模块容量将从1gb起跳，目前规划单条模块到16gb也没问题（注意：这里指的是零售组装市场专用的unbuffered dimm而言，server用的fb与registered不在此限）。
  二、ddr2与ddr3内存的特性区别：
  1、逻辑bank数量
　　　　
  ddr2 sdram中有4bank和8bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而ddr3很可能将从2gb容量起步，因此起始的逻辑bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑bank做好了准备。
　　　　
  2、封装（packages）
　　　　
  由于ddr3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球fbga封装，16bit芯片采用96球fbga封装，而ddr2则有60/68/84球fbga封装三种规格。并且ddr3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
　　　　
  3、突发长度（bl，burst length）
  由于ddr3的预取为8bit，所以突发传输周期（bl，burst length）也固定为8，而对于ddr2和早期的ddr架构的系统，bl=4也是常用的，ddr3为此增加了一个4-bit burst chop（突发突变）模式，即由一个bl=4的读取操作加上一个bl=4的写入操作来合成一个bl=8的数据突发传输，届时可通过a12地址线来控制这一突发模式。
　　　　
  4、寻址时序（timing）
  就像ddr2从ddr转变而来后延迟周期数增加一样，ddr3的cl周期也将比ddr2有所提高。ddr2的cl范围一般在2至5之间，而 ddr3则在5至11之间，且附加延迟（al）的设计也有所变化。ddr2时al的范围是0至4，而ddr3时al有三种选项，分别是0、cl-1和cl -2。另外，ddr3还新增加了一个时序参数——写入延迟（cwd），这一参数将根据具体的工作频率而定。